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高性能准谐振开关电源控制芯片D大发注册K212成熟

  高性能准谐振开关电源控制芯片DK212 是一款符合 6 级能效标准的次级反馈,反激式 AC-DC 高性能准谐振开关电源控制芯片。芯片内置高压功率管,芯片内还包含有准谐振检测、SLEEP 超低待机、自供电等电路,并具有输出短路、次级开路、大发注册过温、过压等保护功能。芯片采用高集成度的CMOS 电路设计,具有外围元件极少,变压器成本低(隔离输出电路的变压器只需要两个绕组)等特点。

  专利的自供电技术,变压器无需外部供电绕组, 无需启动电阻( 降低成品成本) 。

  12W 以下 AC-DC 应用包括:电源适配器、充电器、电磁炉、空调、DVD、机顶盒等家

  芯片内置高压启动电流源;上电启动时当 VDD 电压小于启动电压时,打开三极管对外部的 VDD 储能电容 C4 充电。当 VDD 电压达到启动电压 VCC_St ar t 的时候,关闭启动电流源, 启动过程结束,控制逻辑开始输出 PWM 脉冲并检测 I S 电阻,当 I S 接电阻 RS 对地时, 设定最大峰值电流 I p_Max=Vli m/ RS(Vli m 是 I C6 脚内部检测电压最大值) ;当 I S 脚直接接地时,设定最大峰值电流为 I p_Max=700mA ;

  上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和次级整流管应力过大,芯片内置软启动电路,在软启动时初级峰值电流最大为 0. 5 倍最大峰值电流。

  高性能准谐振开关电源控制芯片DK212采用准谐振输出方式,当检测到 OC 谐振到最低电压时,开通 PWM 输出,打开开关管给电感充电,这样减小了开关管的开关损耗,提高了电源的转换效率。

  Fb 引脚外部连接一只电容,以平滑Fb 电压,外接电容会影响到电路的反馈瞬态特性及电路的稳定工作,典型应用可在1nF~10nF 之间选择;芯片依据FB电压控制PWM输出峰值电流和工作频率。

  为实现超低待机功耗,芯片设计了 SLEEP 模式时,当输出功率逐渐下降到 50mW 以下时,芯片进入 SLEEP 模式。可以实现系统超低的待机功耗(《60mW)。

  芯片使用了专利的自供电技术,控制VDD的电压在4. 7V 左右,提供芯片本身的电流消耗,无需外部辅助绕组提供。自供电电路只能提供芯片自身的电流消耗,不能为外部线路提供能量。

  芯片在内部集成了过温保护功能,如果因外部温度过高或者其它异常原因造成芯片温度过高,检测到芯片温度超过 130℃,立即启动过温保护,停止输出脉冲,关断功率管并进入异常保护模式,温度异常解除后恢复正常工作。

  外部变压器初级线圈的电流过大时,软启动结束后,如果在 PWM 开通 500ns 时检测

  到初级线圈电流达到最大峰值电流 I p_Max ,芯片立即关断功率管, 进入异常保护模式。

  因外部异常导致VCC电压低于VCC_Mi n 时,芯片将关断功率管,进行重新启动。

  因外部异常导致VCC电压高于VCC_Max时,立即启动VCC过压保护,停止输出脉冲并进入异常保护模式。

  次级输出短路或者过载时,如果 FB 电压连续 0. 8S 低于短路保护阀值 Vf b_L; 芯片

  芯片进入异常保护模式后,关闭 PWM 输出,启动 800ms 定时器。在 800ms 内,VCC

  芯片进入异常保护模式后,关闭 PWM 输出,启动 800ms 定时器。在 800ms 内,VCC

  高性能准谐振开关电源控制芯片DK212我们可以通过磁芯的制造商提供的图表进行选择,EE19的AP=1243mm^4, EF20 的

  AP=2231mm^4, 从设计性能优化角度以及为改善EMI 设计增加初、次级屏蔽层来选择,可以选择EF20这款变压器(AE=33. 5, 属于标称值,请按实物测量为准) ,这样变压器生产和效率,散热上更有优势。

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